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    顧問、名譽、兼職教授

    王陽元

    王陽元

     

    王陽元,微電子學家。193511日生于浙江寧波。1958年北京大學物理系畢業。北京大學微電子學研究所教授、所長,同濟大學顧問教授。1995年當選為中國科學院院士。

    主持研究成功我國第一塊3種類型1024MOS動態隨機存儲器,是我國硅柵N鉤道MOS集成電路技術開拓者之一。提出了多晶硅薄膜“應力增強”氧化模型、工程應用方程和摻雜濃度與遷移率的關系,對實踐有重要的指導意義。研究了亞微米電路的硅化物/多晶硅復合柵結構的應力分布。發現磷摻雜對固相外延速率的增強效應以及CoSi2柵對器件抗輻照特性的改進作用。提出了SOI器件浮體效應模型和改進措施。發展了新型SOI器件結構,與合作者一起提出了超高速多晶硅發射極晶體管的新的解析模型和先進雙極工藝技術。近期又研究亞0.1Чm器件和集成電路技術以及微機電系統(MEMS)


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